目前所有的大规模芯片制造，都离不开光刻机。 但大家都清楚，目前国产光刻机与国际顶尖水平相比，还是有较远距离的。所以大家都期待国产光刻机雄起，打破国外的垄断，最好是能够自研出浸润式DUV光刻机、EUV光刻机来，那么中国芯片产业腾飞起来就指日可待了。 而近日，在11月5日开幕的第九届中国国际进口博览会上，国产光刻机厂商上海微电子，正式展示了新的光刻机模型。 当然，很多人质疑这个是模型，但事实上，因为光刻机体积太大了，不太可能真的将真机搬进进博会的，这个模型实际上就是展示技术，目前上海微电子已经有成熟的产品对外销售了，并不是PPT，这一点大家要注意。 同时官方还表示称，该光刻机是基于全栈自主可控技术底座，元件的国产化率突破90%，像物镜系统，光源系统都是自主可控的，比如搭载的是国产自主大NA物镜。 目前该光刻机已经累计支持产线流片超千万片，设备有效运行率超92%。 那么问题就来了，展示的国产光刻机，到底是什么水平，与ASML相比，落后多少年？这样的光刻机推出，ASML会不会慌？ 关于光刻机的更具体的介绍，官方也有说明的，该光刻平台适配I-line、KrF两类主流技术路线，型号为光刻机SSC800、SSB800。 按照资料显示，I-line光刻机设备，采用的是365nm的曝光波长，一般用于350nm左右的芯片制造。而KrF光刻机，一般是采用248nm波长，用于130nm左右的芯片制造。 如果要制造65nm及以下的芯片，则需要用到ArF光刻机，其光源会是193nm的波长。 再往上会是ArFi光刻机，也就是大家熟悉的浸润式，光源还是193nm，但介质是一层水，波长通过后等效134nm，可以用于制造7nm芯片。目前浸润式EUV目前全球仅ASML、尼康能够制造，且尼康的份额相当低，主要还是ASML的天下。 再往上就是EUV光刻机了，光源波长是13.5nm，用于7nm以下芯片制造，但全球目前也仅有ASML一家能够制造出来。 所以，如果从技术上来看，配I-line、KrF的光刻机确实落后很远的，20年前ASML就已经推出了。 但我们推出它的意义，并不是说要去与ASML去PK，我们的目的，其实是在成熟工艺上进行大规模的国产替代，减少对外的进口。 全球的芯片制造，并不只是先进芯片，还会有大量的成熟芯片，以前我们在成熟芯片这一块，也是大量进口光刻机的，如今有了上海微电子的光刻机，我们就可以减少进口了，也不怕被卡了。 我们要做的，是先在成熟芯片上，实现自主可控，再慢慢的基于成熟技术，再往先进的技术上去走，路要一步步来，如果没有成熟技术，直接就造出EUV，你觉得可能么？ 所以虽然是落后ASML二十的技术，对于我们同样重要，只有先解决了从0到1的问题，才能再去解决从1到10，到100的问题。 特别